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圖片信息
DMN3029LFG-13圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:DMN3029LFG-13
  • 原始制造廠商:Diodes,美臺半導體
  • 技術標準參數:MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8
  • 產品應用分類:單端場效應管
  • 點擊此處下載DMN3029LFG-13的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術參數詳解:
  • Diodes公司完整型號:DMN3029LFG-13
  • 制造廠家名稱:Diodes Incorporated
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8
  • 系列:-
  • FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:邏輯電平門
  • 漏源極電壓 (Vdss):30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):5.3A(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):18.6 毫歐 @ 10A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):11.3nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):580pF @ 15V
  • 功率 - 最大值:1W
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 封裝/外殼:8-PowerVDFN
  • 供應商器件封裝:PowerDI3333-8
  • DMN3029LFG-13均從Diodes代理或經過認證的可靠渠道采購,長期充足現貨,確保原裝正品!
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